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Was ist ein IGBT-Transistor

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Hallo liebe Teilnehmer und Besucher zu meinem Kanal! Weiter geht es mit Elementen der Elektronik kennen zu lernen und jetzt unser Held wird der IGBT-Transistor, auch bekannt als isolierte-Gate-Bipolar-Transistor (IGBT). Lassen Sie uns herausfinden, was es ist, welche Stärken und Schwächen Sie das Produkt haben und wo es heute benutzt wird. Fangen wir also an.

Transistor Marke STGW45HF60WD
Transistor Marke STGW45HF60WD

Was ist ein IGBT (IGBT)

Somit wird die IGBT - ist in einer gewissen Ausmaß einzigartige Vorrichtung, bei der der erfolgreichste Weg Feld verbunden und Bipolartransistoren.

Das Prinzip der Funktionsweise des Produkts liegt in folgendem: Sobald ein U «+» zwischen dem Gate und der Source ist die Öffnung eines Feldeffekttransistors, mit anderen Worten von N-Kanal gebildet ist. Als Ergebnis dieser beginnt geladenen Teilchen von einem Bereich in den P-Anteil und Bewegen N ist wiederum, Aufsprengen Bipolartransistor und dies stellt den Fluss des elektrischen Stroms entlang dem Weg Emitter-Kollektor.

Ein vereinfachtes Diagramm des IGBT-Transistors
Ein vereinfachtes Diagramm des IGBT-Transistors
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Grafisch ist der Transistor wie folgt:

Piktogramms Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
Piktogramms Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

Die wichtigsten Parameter des Produkts

Die wichtigsten Parameter dieser Transistoren umfassen:

1. Steuerspannung. Die Potentialdifferenz zu steuern Shutterbetrieb.

2. Der maximal zulässige Strom.

3. Die Durchbruchspannung zwischen dem Emitter und dem Kollektor.

4. Die Stromabschaltung Emitter-Kollektor.

5. Die Sättigungsspannung.

6. Die Eingangs- und Ausgangskapazität.

7. Parasitäre Induktivität des Plans.

8. Die Verzögerungszeit der Verbindung.

9. Nachlaufzeit.

10. Innenwiderstand.

Datasheed STGW45HF60WD
Datasheed STGW45HF60WD

Vorteile und Merkmale der IGBT-Transistoren

1. Extrem einfache Parallelschaltung.

2. Minimale Verluste.

3. Hohe Stromdichte.

4. Erhöhter Widerstand gegen Kurzschlüsse.

5. Die Mindestdurchlassverluste.

6. Funktionalität bei hohen Temperaturen (betrieben bei einer Temperatur oberhalb von 100 Grad Celsius).

7. Arbeiten mit einer Hochspannung (über 1 kV) und eine hohe Kapazität (mehr als 5 kW).

Wenn das entwickelte System mit IGBT-Transistoren, sicher sein, auf dem maximalen Strom, die bestehenden Beschränkungen zu berücksichtigen. Und für diese Zwecke sind die folgenden Möglichkeiten: genaue Wahl des Schutzstrombereich Gate-Widerstand, die Verwendung von Umwegen möglich Kommutierung Ketten.

IGBT-Transistor IRGPS46160D
IGBT-Transistor IRGPS46160D

Anwendungsgebiet

In den meisten Fällen wird IGBT in Hochspannungsnetzen bis zu 6,5 kV für die stabilen und vor allem, einen sicheren Betrieb der Ausrüstung in abnormal Kurzschluss verwendet.

Diese Eigenschaften ermöglichen die Verwendung von Transistoren, die in der variablen Frequenzantriebe, Wechselrichter, Regulatoren, Stromimpulstyp und sogar in der Schweißvorrichtung des modernen Typs.

Darüber hinaus werden die IGBTs in der Steuerung der elektrischen Antriebssysteme sowie Trolleys verwendet.

Zusätzlich Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode kann in Waschmaschinen, Spülmaschinen, Inverter-Klimaanlagen und so weiter zu finden. N.

Computer-Netzteil
Computer-Netzteil

Wie Sie sehen IGBT-Transistoren sind in der Welt von heute weit verbreitet. Wenn Sie wissen wollen, wie können sie ein herkömmliches Multimeter und viele andere nützliche Informationen überprüft werden, dann registrieren Sie sich, setzen Sie mögen und ein repost machen!

Vielen Dank für Lesen bis zum Ende!

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