Amerikanische Wissenschaftler haben eine nanoskalige LED geschaffen, die 100-mal heller als gewöhnlich ist

Wie Sie wissen, sind Standard-LEDs flache Designs, die ähnlich wie Transistoren hergestellt werden.

Bei Transistoren gibt es bereits eine neue Technologie, die vertikale Kanäle ermöglicht (FinFET) und leiten so große Ströme durch die Transistoren.

Aber irgendwie dachte niemand daran, LEDs auf den Rand zu bringen und sie dadurch viel effizienter arbeiten zu lassen. Amerikanischen Wissenschaftlern gelang es jedoch, mit einer LED zu experimentieren. Und die Ergebnisse sind wie folgt.

Wer kam auf die Idee, die LED "auf den Priester" zu setzen

Das Experiment wurde von Vertretern des US National Institute of Standards and Technology (NIST) und wurde von einem Ingenieur der University of Maryland, dem Rensselaer Polytechnic und dem IBM Research Center besucht.

Gemeinsam wurde eine theoretische Grundlage entwickelt und anschließend eine neue Struktur der LED in einem realen Experiment verkörpert.

Praktische Tests des neuen Designs haben also einfach erstaunliche Ergebnisse gezeigt:

Die experimentelle LED zeigte eine enorme Zunahme der Helligkeit des Glühens, was möglich wurde Verwandeln Sie eine LED in einen Halbleiterlaser ohne spezielle Geräte (Resonatoren usw.).

Im Vergleich zu Standard-LEDs mit Submikrongrößen zeigte die neue experimentelle LED eine 100-1000-fache Helligkeitssteigerung.

Dies ist ein erstaunliches Ergebnis, da die Wissenschaftler Standardkomponenten zur Implementierung der LED verwendeten - Galliumnitrid, Zinkoxid, Titan und Gold (Komponenten von superhellen LEDs).

Wie die neue LED implementiert wird

Der einzige Unterschied besteht in der Form der LEDs. In zahlreichen Experimenten haben Wissenschaftler eine LED aus länglichen dünnen Zinkoxidfilamenten hergestellt, die als Rippen bezeichnet wurden.

Jede solche Struktur ist nur 5 Mikrometer breit, kann jedoch bis zu einem Zentimeter oder sogar länger sein (daher werden die Produkteigenschaften festgelegt).

Wie bei der Variante mit FinFET-Transistoren stellte sich heraus, dass die neue LED auch über die Seitenkanten mit Strom versorgt werden kann.

Daher überraschten die praktischen Tests die Wissenschaftler sehr, da die auf diese Weise erzeugte vertikale Struktur einen Lichtstrom emittierte Mit einer Leistung von 20 μW und einer klassischen LED ähnlicher Größe wurden nur 22 nW abgegeben, mit anderen Worten, es war 100-1000-mal weniger.

Eine weitere einzigartige Entdeckung war die Tatsache, dass mit zunehmender Stärke des vorbeiziehenden Stroms das Glühen LED aus einem breiten Spektrum wurde im ultravioletten Bereich stark in Strahlung von nur zwei Wellen verschoben Angebot.

Das heißt, mit einer leichten Handbewegung wurde die LED in einen Halbleiterlaser umgewandelt.

Diese einzigartige Entdeckung eröffnet die breitesten Perspektiven für die Herstellung neuer elektronischer Geräte der nächsten Generation.

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